国产DDR4内存有望年内投产 耗资25亿美元研发

目前安徽省印发《2019年省级调度重大项目计划的通知》，《通知》提到合肥长鑫12英寸存储晶圆制造基地项目一期研发阶段所有单体已完成，目前研发线晶圆片电性测试良好，成品芯片功能通过；正在进行良率提升以及量产准备工作。

位于安徽合肥的长鑫存储的年目标是，部分生产线投入使用。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nm的研发。

按照合肥长鑫公司高管此前公布的发展规划来看，2018年底量产8Gb DDR4工程样品；2019年3季度量产8Gb LPDDR4；2019年底实现产能2万片/月；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。

长鑫存储时间表

而提到长鑫存储，相信我们的很多网友都会感到陌生。合肥长鑫项目专注于DRAM的研发、生产与销售，而最初技术来源是奇梦达。

在5月中旬举行的GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源——已破产的奇梦达公司。

技术源自奇梦达

通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。

朱一明表示长鑫的内存研发是站在巨人肩膀上，尽管如此国内研发DRAM内存依然花费了极大的代价，累计研发费用高达25亿美元，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。

目前合肥长鑫已累积有1万6千个专利申请，加速中国存储芯片国产化目标实现的进程。

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文章来源: https://www.toutiao.com/group/6699224638557258252/