1200亿美元豪赌!三星再现反周期投资,继续加大产能和技术投资

2019-06-05 16:41发布

近日,三星电子副会长李在镕召开战略会议,声称三星不能因为短期盈利而忽视长期性,根本性的技术竞争力,并强调在过去的50年中,三星即使在困难时期也没有停止对未来的投资。

正如李在镕所说,三星从1974年买下韩国半导体公司,到1983年在京畿道器兴建立第一个半导体工厂,再到现在三星成为存储器龙头企业,在这个重资产、强周期,价格跌宕起伏的存储市场,反周期投资是三星独特的做事风格。

三星

2019年全球经济增速放缓,存储芯片在经历2018年大跌后,据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,2019年消费类NANDFlash价格指数累积跌幅逼近30%,DRAM价格下滑也超乎市场预期。

2019年1-5月消费类NAND Flash综合价格指数走势图

来源:中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com

受存储芯片跌价的影响,据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2019年一季度整体NAND Flash销售额107.5亿美金,环比减少23%,DRAM整体销售环比减少了28%至161.5亿美元。

2019年Q1 NAND Flash原厂营收排名

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2019年Q1 DRAM原厂营收排名

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另据原厂最新财报显示,2019年首季三星、SK海力士净利润同比大跌超过50%,西部数据和东芝存储器(TMC)甚至出现亏损的情况,三星也曾预警2019年芯片将面临艰难的一年。

面对存储产业的挑战,西部数据、美光、英特尔、SK海力士纷纷采取减少投资或减少产出的策略来平衡市场供需,而李在镕则在会议上重申了对投资计划的坚持,注重公司长远的发展,并表示将会继续推动投资确保三星在未来的市场竞争力。

三星在产业遭遇“逆风”时扩大投资已不是首例,在1997年爆发亚洲金融危机时,DRAM价格一泻千里,几乎所有厂商都在收缩,三星电子更是负债高达170多亿美元,然而三星依然未停止扩产的步伐。在三星的排挤下,德州仪器和IBM分别在1998年和1999年黯然退出DRAM市场。

10年后的2008年,三星如法炮制。当时存储芯片价格受金融危机的冲击狂跌,单是DRAM亏损就超百亿美金,市场可谓一片哀鸿遍野,三星却做出一个惊人的决定,将上一年利润全部用于扩大产能,在之后的几年里分别投资新建了华城Fab16、中国西安工厂,而奇梦达在撑过2008年底后向慕尼黑地方法院提交破产申请,尔必达在苦撑数年后,于2012年被美光收购。

“越是困难,就越要加大投资”是李健熙的半导体经营理念,三星电子副会长李在镕继承了这一作风,欲持续扩大投资规模,抢占市场以及保持在技术上的领先地位。就在2019年4月份,三星宣布了一项高达133兆韩元(约合1200亿美元)的半导体投资计划,其中73兆韩元是技术研发费用,60兆韩元是建设晶圆厂基础设施,预计会创造1.5万个就业机会。

然而,三星作为全球核心的存储芯片供应商,据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2019年首季三星在NAND Flash的市场市占率为31%,DRAM的市场占有率为43.5%,其市场战略布局和投资计划对市场行情以及产业发展,都有着举足轻重的影响力。2019上半年存储芯片价格几乎一直处于跌势,5月市场价格明显止跌,很多业内人士和市场供应商都认为NAND Flash价格已触底,Q3市场需求将升温,并将带动价格有所好转。

2019年Q1 NAND Flash原厂市场占有率分析

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2019年Q1 DRAM原厂市场占有率分析

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但是,就目前从三星策略来看,三星并没有减产的计划,反而加大了投资规模。由于市场需求低迷,据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,256Gb Flash Wafer的价格在1.8美金以上,价格已经破部分原厂成本线,而且Q2基本已经结束,但市场依然持续这种跌价的趋势,中国闪存市场ChinaFlashMarket预计存储芯片价格在旺季上涨的可能性变得渺茫。

最新Flash Wafer市场报价

最新Flash Wafer市场报价

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长远来看,存储产业原本就是一个高投入的制造业,需要大量的资金来提升技术和产能,在DRAM和NAND Flash低迷时期,三星扩大投资提高产品竞争力也在情理之中。随着全球5G网络相继投入商用,将推动物联网、人工智能及云计算等快速发展。而市场价格的下滑也会刺激智能手机容量快速提升,提高SSD在PC、服务器、数据中心等市场的搭载率,加速抢夺HDD市场。

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