NAND闪存制造商计划削减2019产能

玩懂手机网消息，近日，据外媒消息，为了防止NAND 闪存价格可能的崩盘造成重大的损失，NAND 闪存三巨头：英特尔、美光、SK海力士，将计划采取措施，防止市场“供过于求”。换句话说，就是闪存三巨头将考虑减少晶圆和闪存的生产，以及调缓新工厂的产能，来减少损失。另据消息显示，三星Samsung也可能效仿。

（资料图：来自 SK Hynix 官网，via AnandTech）

据悉，向高容量 64 层和 96 层 3D NAND 技术的快速过渡，使得 NAND 闪存制造商们能够增加颗粒的供应，最终让市场趋于饱和。

与此同时，最近几个月，服务器市场对 NAND 闪存的需求一直弱于预期，而需求强劲的智能手机更换周期也变得越来越长，这也 影响到了 NAND 闪存的出货量。加上其它因素的影响，闪存制造商们有减少产能的想法，也就不难理解了。

据 TrendForce 给出的数据显示，NAND 供应数量现已远超市场需求，这将会导致 2019 年一季度多个类别的产品价格下跌或高达 20% 。

为确保短期和长期的盈利能力，三家制造商已于过去几个月的不同时间点，宣布将采取行动，以最大限度地减少损失。

美光在 3 月份时候表示，正在谨慎地管理其下 NAND 供应的增长（至少可部分缓解供过于求的问题），并开始削减其传统制程节点的晶圆总开工量（约 5%）。尽管镁光没有明确表明将减少其 NAND 供应的计划，但减少旧工艺的排产比例，或有助于降低其整体出货成本。

SK 海力士于本周表示，已经停止生产 36 层和 48 层的 3D NAND 内存。相较于当前的新技术，旧工艺的“每比特成本”已经相当高昂。未来几个月，SK 海力士将计划增加 72 层 3D NAND 的产量，并计划在今年下半年为 SSD 和移动市场发布 96 层 3D NAND 解决方案。此外，SK 海力士将放慢其在韩国清州的 M15 工厂的增产速度。与 2018 年相比，该公司预计其 NAND 晶圆产量将下降 10％ 以上。和美光一样，SK 海力士也没有明确透露具体的减产计划，所以 2019 年内的出货量可能仍大于去年。

而更专注于企业级 SSD 市场的英特尔，也在本周宣布将减少 2019 年的 NAND 出产。不过并没有披露详细的计划，或采取怎样激进的措施。但无论怎样，英特尔仍然对未来的 NAND 价格战保持警惕，并且做好了采取相应行动的准备。

最后，尽管三星目前尚未公布其 2019 年一季度的业绩，但还是向投资者发出了警告。与去年同期相比，本机利润或暴降 60% 。分析师们将此归咎于多种因素，包括旗舰级智能机需求的疲软、DRAM 和 NAND 存储的市场价格等。而三星也可能和另外三大闪存巨头类似，在在年内调整期 NAND 业务。至于具体怎么做，仍有待观察。

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