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JEDEC发布JESD209-5,即LPDDR5低功耗内存标准。与前一代LPDDR4 I/O速度3200 MT/s相比,LPDDR5 I/O速度再次翻倍达6400 MT/s,即每秒可以传送51.2GB的数据。
近日,在旧金山举办的ISSCC(International Solid State Circuits Conference,国际固态电路会议)上,SK海力士芯片设计师Dongkyun Kim发表了自家首款DDR5-6400芯片,基于1ynm工艺,封装面积76.22平方毫米。
规格方面,针脚速度6.4Gb/s,工作电压1.1V,单片容量16Gb(2GB)。三星将在韩国平泽工厂量产LPDDR5芯片。三星曾在高通4G/5G峰会上透露,LPDDR5将在2020年进入商用。
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