英媒：中国的芯片创造还是落后

日前，中芯国际对外发布报告，而根据报告显示：中芯国际首代FinFET14nm技术进入了客户测试验证阶段，在可靠度与使用良率获得进一步提高的同时，并且针对12nm工艺技术的芯片也取得了重大的突破。根据中芯国际的报告，预计14nm工艺的芯片将会在年内展开一定规模的量产。

时间在不断地发展，而中芯国际如今已经成为了中国规模最大、技术水平最高的芯片企业。在世界排名上，中芯国际位列全球第四位的晶片代工企业。

也许很多细心地朋友都会留意，在很多大品牌手机的新闻发布会上，厂家一般都会在介绍的时候提到“FinFET工艺制造”之类的名词。那么问题也就随之而来了：到底什么叫FinFET公会呢？

FinFET，也被称之为“鳍式场效应晶体管”，其创造者是美籍华人科学家胡正明教授。而这项工艺的使用，不仅可以改善电路控制和减少漏电流，同时也可以大幅度的减少晶管体闸长。根据目前市场动向来看，FinFET的工艺极限是7nm，可是，目前台积电已经有了10nm的工艺制程。

近日，英国媒体发布报道表示，中国芯片的制造能力还是落后于国际市场十年的。对此，很多的学者认为：虽说中国芯片的整天落后国际水平的一个代查差距，但是只要是虚心接受，相近这样的差距会在几年内扭转。

但是，我们不能过度吹捧。因为只有在认识到自己与其他企业的差距之后，我们才能知道我们与其他国家的差距在哪里。据悉，中芯国际目前正在攻克14nm工艺制程，可是，韩国的三星电子就已经在2014年的时候达到了14nm工艺制程。

无论是主观还是客观，我们国家在芯片的制造方面都需要不断的提高。西方国家的科技垄断势头依然存在，可我们也不能过度吹捧放弃追赶。

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