英特尔重返闪存市场 | 三星、SK海力士坐立难安，连横反击

全球存储器芯片市场大有可为。英特尔正在试图借助英特尔®傲腾™技术来打破三星电子、SK海力士在存储器芯片市场的垄断地位。英特尔是CPU的领导者。但是英特尔已经重新树立起“以数据为中心”的战略，正在通过Optane Memory重新占领消费级存储芯片市场。

DRAM的先驱之一：英特尔

翻开半导体行业发展史，英特尔实际上是DRAM的先驱之一。1970年10月，英特尔发布了第一款划时代的量产DRAM——i1103 1kb内存芯片，真正使DRAM的生产达到经济规模，DRAM产业史由此开始。

1970年英特尔(Intel)3英寸晶圆厂生成的的i1103是第一款划时代的量产DRAM，真正使DRAM的生产达到经济规模，使得每bit存储降到1美分。i1103只有1k容量，是今天内存容量的百万分之一。

在1969年推出的首款静态RAM（SRAM）“ 1101”产品中，英特尔将充当半导体开关的晶体管数量减少到六分之一。由于更高的集成度和更低的制造成本，英特尔垄断了DRAM市场。

但是英特尔在DRAM市场的霸主地位并没有持续多久。这是由于1972年日本公司的突袭。日本电气（NEC）、富士通和精工（SEIKO）等日本巨头已经开始进入半导体市场，以及游戏机市场崩盘，导致内存严重过剩，使得行业利润降至冰点。英特尔对对手的低价攻势感到震惊，并通过重组内存业务，退出DRAM领域。

大约20年后的1988年，英特尔再次进入NAND闪存业务。到2000年初三星在NAND闪存技术领域处于领先地位，英特尔的影响力已微不足道，因为三星电子通过垂直堆叠制程NAND闪存的V NAND技术在市场中具有压倒性优势。

两次落败之后，英特尔推出了领先的技术Optane Memory，再次进军NAND闪存市场。

英特尔已经宣布，它将使用十年来开发的Optane Memory技术来打造一个全新的内存概念。Optane DC永久内存DIMM是今年使用该技术推出的第一款产品。

信息和容量的爆炸性增长对DRAM需求正在急剧增加。Optane Memory具有存储信息、速度和价格竞争力，最大容量为512GB（千兆字节），是64GB通用DRAM容量的8倍。

海力士开发第三代10纳米DDR4 DRAM

韩国半导体大厂SK海力士宣布，推出搭载10纳米级制程(1Znm) 的16GB DDR4 DRAM，每个晶圆的总储存容量是现有DRAM中最大的，海力士预计于明年开始量产。这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

于第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不适用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产，结果具有成本竞争力。该款1Z纳米 DRAM还稳定支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4规格内最高速度。功耗也显着提高，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，将功耗降低了约40％。

特别是，第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料，将DRAM操作的关键要素静电容量最大化。此外，还引进了新的设计技术，提高了动作稳定性。

而主要的竞争对手三星电子(Samsung Electronics)早在2019年3月开发出的1z nm奈米的8GbDDR4产品。16Gb裸晶封装成颗粒即为单颗2GB容量芯片，电路板双面满上16GB 颗，就能构成32GB容量模组。

同去年底，Samsung率先发布的16Gb产品，而另一要角Micron是在今年夏天发布，并且和SK hynix一样是1z nm世代产物。

三星与英特尔在内存市场展开激烈竞争

8月，三星宣布了DRAM模块将与AMD的第二代服务器CPU Epic一起提供。该策略是通过高达256GB的超高容量服务器内存来吸引客户。

三星电子执行董事说：“三星正在与AMD紧密合作，开发用于下一代服务器的最新处理器、内存和存储产品。”

三星的战略是与对手保持制造技术的差距。三星电子最近通过已开发出世界上第一个12层3D-TSV(直通硅通孔)技术DRAM模块来增强其技术优势，这种封装技术可以在保持产品体积的同时保持高带宽存储器（HBM）容量。明年，三星计划在DRAM的某些层上引入EUV工艺，这是一种超精细工艺。

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