损失最小化还是让利对手？台积电格芯专利案胜负难分

集微网消息（小山），全球晶圆代工龙头台积电和格芯就专利侵权问题对簿公堂，掀起了市场对双方策略布局的诸多讨论，也让晶圆代工产业再添话题性。有报道就此指出，两家公司如若和解，则能将彼此的损失最小化。

据科技新报分析报道，对台积电而言，对格芯提出侵权诉讼举动不单是台面上的反击，更有机会迫使格芯评估彼此在冗长诉讼过程可能造成的损失。

尽管目前台积电尚未公布确切的侵权专利编号，但从专利包含的技术层面来看，与格芯提出的颇有些相似之处。因此在侵权判断上可能会依循相同的逻辑或判断原则，即若一项专利侵权胜诉，相对应地或类似的另一项专利也有胜诉可能，反之亦然；如此一来，或许就较难定义出绝对的胜利者。

报道指出，假使有这类情况出现，不管对格芯或是台积电都将是双刃剑，损伤对方战力的同时却不一定能利己。有鉴于此，双方寻求和解或互相撤诉的机会就可能会增加，从而能够将彼此的损失做到最小化处理方为上策。

▲ 台积电与格芯侵权专利整理。（Source：台积电、GlobalFoundries；拓墣产业研究院整理，2019.10）

另一方面，报道还指出，台积电与格芯在专利诉讼中瞄准彼此的制程范围影响层面广且重要性较高，这或许会让竞争对手从中受惠。

科技新报分析，就双方提出诉讼涉及的制程范围来看，格芯瞄准台积电的主要极具产品竞争力的制程，即 28 纳米、16 纳米、12 纳米、10 纳米及 7 纳米，在今年第二季占比达 45%，尤其台积电 7 纳米业绩良好，产能持续扩增，预估 28 纳米以下制程营收占比将持续上升，这也是格芯瞄准能牵制台积电的重要目标。

此外，格芯是目前市场上极力推广 SOI 相关产品的厂商之一，在台积电鲜少着墨 SOI 技术的情况下，或许格芯也希望借由专利侵权诉讼效果来提升自家的 FD-SOI 技术市占率。

另一方面，台积电诉讼涉及的制程范围虽影响不到格芯的 FD-SOI 相关产品，但范围扩及格芯的成熟制程 40 纳米，且在格芯停止研发 7 纳米制程后，转而力求优化 12 纳米制程效能表现，因此台积电提出有关 FinFET 闸极设计、双重曝光方法及接触蚀刻停止层设计等相关专利，这些对格芯有着不小的潜在可能影响。

分析进一步指出，倘若格芯专利被证实侵权，可能将进一步限制格芯在晶圆代工第二梯队的竞争优势。

值得一提的是，双方瞄准的制程范围影响层面广且重要性之高，或许也会让竞争对手寻找得利的机会点。

无论从技术发展还是营收上看，三星电子与联电正作为台积电与格芯最主要的竞争对手，若此番诉讼的结果让两家互伤元气，可能会给予三星与联电追赶的契机。尤其是，联电与格芯在技术与营收上相近，加上联电在日本完成收购计划、格芯 2020 年将交割厂房，一旦格芯在法律过程中有所损失，或许将缩小领先联电的优势，甚至会给联电超越格芯的机会。（校对/Jurnan）

▲ 全球 TOP 5 晶圆代工厂商季度营收。（Source：各厂商财报；拓墣产业研究院整理，2019.10）

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