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编者按：日前，第二届全球IC企业家大会在上海举办。作为六个分论坛之一的化合物半导体产业趋势论坛同期举办，分论坛由赛迪智库集成电路研究所、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟承办，主题为《迎接化合物半导体的产业化浪潮》，与会专家就化合物半导体材料、芯片、设备等发展现状及未来趋势进行了研讨。
Qorvo应用市场总监黄靖：
从4G向5G升级的过程中，化合物半导体将呈现爆发性增长。尤其是5G MIMO天线的使用，使得功率放大器（PA）市场增长更加迅速。未来几年，不论在5G基站，还是升级的4G基站，使用氮化镓技术的功率放大器都将成为市场的主流选择。
以国内为例，今年国内部署的5G基站将达到10万个，而到2020年，国内将有40万~80万个5G基站的建设需求。5G MIMO天线阵列将达到64个。这样庞大的天线阵列在功耗、尺寸、成本等方面都面临前所未有的挑战。如何运用先进的化合物半导体工艺达到最优的系统指标成为5G MIMO最大程度发挥其性能的关键之一。对于运营商来说，如何在5G基站的成本、可靠性、性能等方面找到一个最优方案，也成为他们着重考虑的问题。随着性能要求的不断提高，传统的硅基材料的性能局限性逐步显现，氮化镓功率放大器技术开始从特种应用走向了通信市场。
氮化镓材料本身的特性让它们拥有高可靠性、高带宽和支持更高的频率的特点，对于相同的性能指标，氮化镓射频器件的尺寸可以比其他技术小很多，产品尺寸和成本都会大幅下降，这让天线阵列的整机性能和效率获得了极大的提升。整个设备的尺寸变小，也更便于塔上安装和维护。
作为业界领先的射频方案供应商，Qrovo推出了一系列的氮化镓产品。如基于0.25微米工艺面向基站应用市场的产品、0.15微米和90纳米工艺适合于更高频率要求的应用场景的产品。此外，Qorvo还根据不同的应用场景，将GaN、GaAs、SOI等不同材料以MCM的模式组装到一起，提供高集成、小尺寸、低成本的解决方案。
文章来源: https://www.toutiao.com/group/6735742656992772619/