零突破！国内首款64层3D NAND闪存量产，打好半导体行业关键一战

放眼全球，存储芯片市场一直都由海外企业主导，国内离达到国际水平还有些距离。所以从2018年以来，因为一些众所周知的原因，存储芯片市场价格波动幅度很大，而国内对该市场的需求比较大，只是苦于没有核心技术在这一市场几乎是空白状态，所以一直都比较被动。

​然而，“意外”发生了。昨天，紫光集团旗下的长江存储宣布全球首款基于Xtacking 架构打造的64层256Gb TLC 3D NAND芯片正式开始量产，不少人都为之欢呼。

其实，早在2018年，长江存储就已经开始对32层堆栈的3D闪存进行小规模量产，不过其核心容量只有64Gb，如今其又推出64层堆栈3D闪存，将核心容量提升至256Gb，虽然和512Gb、1Tb的产品存在一定的差距，但也达到目前市场中的主流水平，和已经上市的64层、72层3D NAND闪存相比存储密度更高。这标志着长江存储在高端芯片设计制造路上取得了新突破，也意味着国内半导体行业技术水平离国际水平更近一步。

​值得一提的是，2018年因为NAND Flash的价格大幅度下跌，全球相关企业纷纷推迟了96层3D NAND 扩产计划，从而导致3D NAND技术制程的进化比较慢。尽管现在96层技术已经实现了量产，但流通的数量不是很多，主流产品仍然是64/72层技术的3D NAND芯片，所以说市场还是“善良”的，给长江存储留有赶超的机会。更何况其新推出的这款产品因为采用Xtacking架构，所以能够充分利用存储单元和外围电路，在加工方面具有很大的优势，促使产品开发时间缩短2个月，生产周期缩短20%，进而缩短产品上市时间。

​另外，业界有消息称，明年长江存储将实现跨级跳，直接发展128层3D NAND技术，如果可以实现的话，那么明年国内3D NAND技术将跻身国际大厂队伍中去。因为就业内现在的情况来看，明年将是100+层3D NAND技术的爆发之年，现在三星电子、东芝等主流厂商都已经开始热身，实现96层技术的量产，明年100+层技术来临后，各大厂商的竞争也将更为激烈。

但不管怎样，希望未来长江存储还能不断加强技术投入和研发，早日赶超国际水平，肩负起中国NAND Flash打破存储芯片市场被外企垄断的局面。

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