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导读 ： 紫光集团旗下长江存储在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求；同时，宣告打破几家国外厂商高度垄断的行业格局。
首发Nand-flash 芯片
9月2日 紫光集团旗下长江存储在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。Nand-flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
作为中国首款64层3D NAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。
长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”程卫华还提到，“随着5G，人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力
肩负中国NAND Flash破局重任
过去几年，因为存储产品的大幅涨价，让大家正式认识到存储的重要性，但这是一个被几家厂商高度垄断，而中国几近空白的市场。
据资料显示，三星，镁光、SK海力士和东芝等几家厂商几乎垄断了全球的NAND Flash市场供应，其中三星多年位居龙头。
长江存储就是为了打破这个局面而生的。
从无到有，长江存储是中国第一艘冲破国际巨头垄断的存储基地，堪称中国集成电路产业向空白地带探索的一艘航空母舰。2016年7月，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建长江存储。其中紫光集团出资197亿元，占股51.04%，从而对长江存储形成控股。作为一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业，长江存储为全球客户提供先进的存储产品和解决方案，广泛应用在移动通信，计算机，数据中心和消费电子等领域。长江存储以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片，填补了国内空白。公司3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，核心厂区占地面积约1717亩，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，2023年年产值达1000亿人民币。
半导体存储行业风云史
最早的存储芯片是DRAM芯片 仅有1Kbit , 是Intel于1970年10月，推出了，售价10美元（相当于今天的60美元），标志着DRAM内存时代的到来。到1974年，英特尔占据了全球82.9%的DRAM市场份额。1973年，德州仪器开始对Intel的内存芯片进行反向工程，仿制并研发出自己的产品，4Kb DRAM，成本更低，行业竞争开始加剧。与此同时，几个德州仪器的人成立的公司Mostek于1976年推出了更便宜的16Kb DRAM，击败Intel，一下子占据全球75%的市场。1978年，又有几个Mostek的工程师在地下室创办了后来大名鼎鼎的美光科技（Micron），生产64Kb DRAM。今天的美光是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，世界500强。
美国内企业打得火热的时候，真正的敌人却在大洋彼岸崛起。80年代初，日本公司进入了DRAM产业，靠着大量低成本廉价倾销，直接给了美国公司致命一击。其结果是Intel持续亏损，在生死存亡之际靠CPU翻身。Mostek以3.45亿美元（还是挺多钱的）卖给了UTC，后来转投意法半导体门下，美光靠着政府帮助活了下来。
为什么日本能在这么短的时间内崛起为世界第一，美国公司的帮助功不可没。在朝鲜战争后，美国为了拉拢日本对抗苏联，给日本转移了很多尖端技术，比如电视机、收音机、录音机、计算器、电冰箱、洗衣机等，现在有名的日立、三菱、东芝、NEC、松下、三洋、富士通、索尼、夏普等都是靠这时候的廉价专利技术兴起的。这个时期的日本，跟今天的中国一样很重视产业升级，组织了庞大的资金池和技术攻关队伍，对关键半导体技术进行攻关。不仅如此，日通过市场换技术的伎俩，引诱美国公司来日本投资，1968年4月，由日本索尼社长井深大出面，与德州仪器董事长哈格蒂（P.E.Haggerty）签署协议，双方各占股50%，设立合资公司。
日本在仿制美国先进技术的道路上，优先选择了利润高的，容易量产的DRAM方向。于是,开始投入巨资和人力研发更大容量DRAM，最终的结局就是，日本DRAM质量好，容量大，价格还便宜，美国企业望尘莫及。1982年，日本成为全球最大的DRAM生产国。原来价格虚高的DRAM内存模块，价格暴降了90%。一颗两年前还卖100美元的64K DRAM存储芯片，现在只要5美元就能买到了，日本厂商还能赚钱。美国企业由于芯片成品率低、成本高，根本无法与日本竞争，因此陷入困境，而且由于DRAM价格暴跌，美国公司都没钱研发更先进的DRAM，纷纷退出该行业。日本自然成了DRAM霸主，占有90%的市场。
不过好景不长，因为美国公司的利益受损，美国政府开始对日本进行反倾销审查，制定各种打压政策。而且，一旦进入到了大规模生产阶段，量产导致了价格战，80年代末，DRAM价格大跌，日本公司纷纷进入亏损状态，同时，日本房地产景气，资金脱实向虚，导致研发资金不足，新品大大减少。
日本人炒房正疯狂时， 韩国却偷偷地对DRAM 下手了。韩国公司疯狂投资研发DRAM，1992年，韩国三星坐上全球DRAM头号交椅。此时，日本已经在这条赛道上完全丧失了竞争优势，穷途末路的日本DRAM企业纷纷退出市场，1999年，剩下的NEC、日立、三菱DRAM部门合并成了一家尔必达，CEO坂本幸雄2002年赴任后，投入巨资建设新厂，好不容易开始赚钱，结果遭遇了2008年全球金融危机，尔必达之后每年巨额亏损，政府贷款也打了水漂，2012年无奈破产，被美光收购。美光一接手，DRAM开始大涨，直到今天。日本再无DRAM，唯一幸存的是东芝的NAND Flash业务，不过东芝也已经满头包了，最近准备卖掉闪存业务还债了。
再将目光投向韩国，此时是一番完全不同的景象。1974年，美国摩托罗拉公司的韩裔半导体工程师姜基东博士，回到韩国海归创业，后来被并入三星，直到1977年，三星完全收购该公司，变成三星半导体。1983年，三星创始人李秉喆筹措了1.33亿美金开发DRAM，从奄奄一息的美光半导体陆续买到64Kb和256Kb DRAM的技术，但是仍然缺乏生产设备，因为日本拒绝对韩国技术转让。 三星最终如愿以偿，因为他们找到了个漏洞：在日本，夏普被归类为消费电子公司，不是半导体企业，于是三星从夏普顺利地购买到了半导体生产设备，顺手挖了很多美国的韩裔工程师搞技术攻关，最终开始量产DRAM。
三星的DRAM量产是以亏损开始，1985年后，DRAM价格大跌，三星的成本比价格还高，1986年累计亏损3亿美金。靠美国的贸易政策帮忙，才让三星1987年实现盈利。韩国政府的产业资本也支持三星研发4Mb DRAM，并为1.1亿美金研发经费提供了57%的资金。1989年量产4Mb DRAM后，三星最终走到了世界DRAM的技术前沿。
与此同时，韩国现代、LG、大宇等其他四大财团也陆续投入巨资进入DRAM产业，1982年至1986年间，韩国四大财团在DRAM领域，进行了超过15亿美元的疯狂投资，相当于同期台湾投入的10倍。日本人为了和韩国企业竞争，以韩国DRAM成本一半的价格出售，但是，韩国企业扛住了这轮攻击，还追加投资，同时借助美国的反倾销，反而让日本公司玩不下去。1992年，韩国三星超越日本NEC，首次成为世界第一大DRAM内存制造商，并在其后连续蝉联了25年世界第一。1992年，三星领先日本，推出世界第一个64Mb DRAM产品。从此，韩国在技术上领先日本。
现在，中国也意识到DRAM和闪存芯片的战略意义，尤其是前段日期的内存价格飞涨，所以投入大量资本进入存储芯片产业。紫光集团宣布投资240亿美元，在武汉建设长江存储生产闪存芯片，计划2018年月产能20万片，2020年月产能30万片，2030年月产能100万片。投资300亿美元，在江苏南京投资建设半导体存储基地，一期投资100亿美元，建成月产能10万片，主要生产3D闪存、DRAM芯片。福建晋华集团与台湾联华电子合作，一期投资370亿元，在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂，计划2018年月产能6万片， 2025年月产能24万片。合肥长鑫投资494亿（72亿美元），2018年建成月产能12.5万片。但愿未来，中国能取代韩国，崛起为半导体存储行业的龙头老大。
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文章来源: https://www.toutiao.com/group/6732230752886325763/