国产闪存芯片迎突破！光谷量产中国首款64层三维闪存芯片

楚天都市报9月2日讯（记者胡长幸）今日，紫光集团旗下长江存储在武汉光谷宣布，基于Xtacking®架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存已开始量产。该产品作为中国首款64层3DNAND闪存，其量产将满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，标志着光谷已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。

3D NAND即三维闪存技术，基于该技术的闪存芯片就像是立体停车场，在同样的“占地面积”之下能够容纳更多倍数据量。Xtacking®架构是长江存储自主研发的一种突破性3D闪存架构，它就像一个由无数根罗马柱支撑起的宫殿，能够在两片独立的晶圆上，分别加工外围电路和存储单元。当两片晶圆各自完工后，该技术只需一个处理步骤，就可通过数十亿根垂直互联通道，将两片晶圆键合。相比传统三维闪存架构，该技术可带来更快的写入和读取传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示，随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。64层3DNAND闪存产品量产后，长江存储还计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘等产品，为全球存储器市场健康发展注入新动力。

2016年12月，国家存储器基地在武汉光谷启动建设。它标志着中国集成电路存储芯片产业，在规模化发展上实现了“零”的突破。短短两年间，存储器基地一号芯片生产厂房封顶、国内首颗自主研发32层三维闪存芯片研发问世、芯片生产机台安装调试、首台光刻机进厂调试。围绕“一芯驱动”战略布局，一座芯片之城在光谷加速崛起。

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