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基于石墨烯的下一代核心半导体技术

2019-07-03 21:35发布

资讯及通讯工程系博士候选人杨在勋(左)及蔡恩泽教授(右)。

信息与通信工程系DGIST(大邱京畿道科学技术研究所)开发了一种基于石墨烯的高性能传输线,与现有的高频金属相比,它具有更高的电子运行速度。

这将大大促进下一代高速半导体和通信设备的发展,其处理速度将大大超过现有的半导体和通信设备。

DGIST宣布,Jae Eun Jang教授的团队在信息与通信工程系研究单层石墨烯的高频传输特性,并开发了一种高性能的高频传输线,增加了石墨烯内部的器件浓度。

这一结果表明,高频传输的特性有了很大的改善,可以替代现有高速半导体加工中使用的金属,有望在未来作为石墨烯的传输线。

由于半导体器件集成度高、速度快,器件间传输信号的金属丝电阻呈几何级数增长,达到了允许电流密度的极限。为了解决这一问题,石墨烯、碳纳米管等碳基纳米结构被认为是现有金属的替代品,作为下一代新材料受到人们的关注。

然而,石墨烯有一个非常薄的0.3纳米碳六角形阵列,导电率是铜的100倍,电子迁移率是硅的100倍。因此,它被认为是一种电子材料,可以取代现有的金属和半导体材料。但纯石墨烯的器件浓度过低,为1012 cm2,具有纳米级的薄结构特征,导致石墨烯电阻过高。

为了克服这些限制,Jang的团队进行了一项研究,通过提高石墨烯内部的器件浓度来改善石墨烯的高频传输特性。通过石墨烯和非晶态碳的结合,研究小组提高了石墨烯的器件浓度,增强了石墨烯的电特性。增加石墨烯的高频传输为-8dB,可与数百纳米尺寸的金属纳米线相媲美。

该团队还证明石墨烯内部的缺陷降低了石墨烯的高频传输,并开发了一种新的、稳定的掺杂技术,将内部缺陷最小化。这种新的掺杂技术使石墨烯器件浓度增加了2倍1013cm2,并表现出稳定的热性能和电特性。

张教授的研究团队开发的高频石墨烯传输线信号传输效率高,运行稳定,可应用于现有半导体行业的金属布线加工以及下一代集成电路。

信息与通信工程系的Jae Eun Jang教授说:“除了设备技术,传输线也是半导体研究领域的一项非常重要的技术。我们开发了一种核心基础技术,可以增强石墨烯的高频传输,可作为下一代传输线。由于纳米工程、电子工程、物理等领域专家的汇聚研究成果,我们希望将石墨烯应用于MMIC、RFIC等高频电路。

本研究是在韩国科技部和ICT部以及韩国国家研究基金基础研究项目的支持下进行的,被选为《先进功能材料》封面论文。

文章来源: https://www.toutiao.com/group/6691928679624213004/