前联电CEO孙世伟或接掌武汉新芯，手握3D IC利器重返晶圆代工业

随着紫光集团重启尘封 5 年的“DRAM 计划”，陆续传出高层人士调整的消息。供应链透露，联电前首席执行官孙世伟已加入武汉新芯，协助现任武汉新芯首席执行官高启全处理公司事务，未来孙世伟极可能会接下武汉新芯的首席执行官一职，而高启全将全面投入紫光新 DRAM 事业部。

武汉新芯目前的首席执行官是“台湾 DRAM 教父”高启全，随着高启全即将加入紫光全新擘划的 DRAM 事业群，展开新征程，未来武汉新芯的日常事务可能会交给孙世伟。

供应链透露，孙世伟已经于前两周从紫光位于北京的总部到武汉新芯报到，参与日常运营，与高启全之间形成正向的接棒传承迹象。

孙世伟于 2008 年接任联电首席执行官，2012 年 11 月卸下该职务，转任副董事长，随后于 2015 年从联电申请退休并辞任联电董事。

经过两年沉潜，孙世伟在 2017 年 1 月转战大陆紫光集团，出任紫光全球执行副总裁。

孙世伟出身晶圆代工产业，熟悉晶圆厂运作事务，日前接下武汉新芯首席执行官一职，算是重回晶圆代工老本行。

他在联电任职期间，以治军严谨且非常强调执行力出名，擅长推进工艺技术的微缩前进和拉升良率。

当时，紫光挖角孙世伟加入时，业界一度猜测紫光是打算将成都定位于晶圆代工厂，孙世伟将会主掌成都。

不过，目前综观紫光的规划布局，仍是将成都定位在 3D NAND 技术的基地，与武汉、南京一样，未来这三地会成为紫光 3D NAND 芯片生产基地。

武汉在集成电路领域的布局上，最有名的是紫光旗下的长江存储，但其实同集团的武汉新芯才是当地最早期的晶圆厂。

2018 年下半，武汉新芯在发展上进行了“重新定锚”的动作。

有别于国内集成电路产业一窝蜂涌向 28 nm 、 14 nm、 7 nm 等高端工艺技术，武汉新芯避开了人潮群聚之处，走出一条属于自己的独门秘径，同时，运营模式也正是定位旗下三大业务为 3D IC 技术代工、自有品牌 NOR Flash 、 MCU 芯片。

武汉新芯的 3D IC 技术是源自于帮美系传感器大厂豪威代工而来，是国内最早量产 3D IC 技术的厂商，该技术与前阵子轰动国内存储市场的长江存储“Xtacking”技术，系出同门，采用同样的技术原理。

3D IC 技术是 wafer-on-wafer 的接合技术，可以把不同性质和作用的晶圆整合在一起，其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术已经宣告研发成功。

武汉新芯是在 2013 年投入 3D IC 技术，初期目的是帮传感器大客户代工，堆叠传感器 Sensor 和 逻辑 Logic 芯片，随着技术不断演进，也可以将不同的半导体组件堆叠在一起，如传感器、处理器、 3D NAND 芯片等。

与传统的 2.5D 芯片堆叠技术相比，晶圆级的三维集成技术可增加带宽、降低延时，带来更高的性能与更低的功耗。

武汉新芯早期是以 NOR Flash 代工为主，目前 3D IC 技术已经成为 NOR Flash、 MCU 之外的第三大技术平台。

随着 2018 年武汉新芯在运营上出现重新规划，三大产品技术成为运营的关键三只脚，当时由高启全接手，完成初步的运营规划细节。

如今，紫光 DRAM 事业部即将起步，高启全将加入 DRAM 事业部的同时，由孙世伟接棒武汉新芯，可见紫光集团在各个领域的布局将有新风貌。

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