发力存储技术，更强性能的国产SSD就要来了

对于电脑硬件类产品，很多人看到“国产”二字，就会不自觉地将山寨、劣质、易坏等词联系到一起。事实上，近年来国产产品在严格质检、加大技术研发力度的基础上，已经可以给大家交出更完美的答卷了。这不，联芸科技 （Maxio Technology）作为国产SSD主控芯片重要代表，近日展示了其最新的MAP100X系列PCIe、NVMe 1.3接口的SSD控制芯片核心技术及解决方案，全面覆盖高、中、低PCIe接口SSD市场，可全面参与全球同规格SSD主控芯片竞争。

联芸科技MAP100X系列PCIe SSD控制芯片包括三款型号：

高端：MAP1001带DDR缓存，支持8CH X 4CE；

主流：MAP1003带DDR缓存，支持4CH X 4CE；

性价比：MAP1002不带DDR缓存，支持4CH X 4CE，支持 HMB方案。

NAND适配性：支持所有品牌3D MLC / 3D TLC / 3D QLC颗粒。

接口：PCIe 3.0 x 4接口。

工艺：均采用28nm工艺制造。

这三款芯片的传输性能到底如何呢？一张表就给你看明白：

该系列SSD控制芯片采用联芸科技自主研发的Agile ECC2纠错技术，支持硬件RAID功能，支持端到端数据保护，支持NAND颗粒自适配技术。支持AES256/SHA256以及SM2/SM3/SM4国密算法，支持先进的电源管理等。

不仅仅是国产主控芯片上有了质的飞跃，在闪存方面，国产颗粒的发展也是突飞猛进。在NAND闪存领域，国内投入力量最大的就是长江存储，2016年在武汉斥资240亿美元建设国产NAND存储芯片基地，去年已经开始少量生产32层堆栈的3D闪存，预计今年底投入64层3D闪存的量产工作。其中风险试产预计三季度启动，目前良率已经实现了显著爬升。

据有关消息称，为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在2020年将跳过96层堆栈的3D闪存，直接量产128层堆栈的3D闪存。

虽然64层堆栈层数明年还是会落后于三星等大厂，但长江存储今年在FMS国际会议推出了3D Xtacking技术。在这个技术的支持下，长江存储直接进入128层堆栈3D NAND时代的时候与一线芯片厂商的差距也就没有那么大了。这也为国产SSD发展提供了更强大的闪存支持。

如今遇到华为事件，可以说给国产存储发挥的空间就更大了。不仅仅是在芯片和NAND方面，国产DRAM技术也应该大力发展起来，毕竟，技术掌握在自己手中才是最安全的，其中福建晋华和合肥长鑫则选择以DRAM内存芯片作为突破口。近日，据媒体报道，合肥长鑫公司计划在今年底量产首款内存芯片，是8Gb LPDDR4颗粒，预计Q4季度产能约为2万片晶圆/月，最终会扩大到12.5万片晶圆/月。

在互联网时代，所有的数据都是几何倍增长，这些数据总是要有地方存储。再加上人工智能系统需要海量的数据做训练，可以说，需要天量的数据喂养出来。在这种环境下，存储技术的突破，是非常有必要的。而且，5G时代已经来了，存储技术越来越重要，这正是国产存储厂商的机会，实现存储技术的自产自销，形成国内产业链的闭环。

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